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性能提升40AMDIBM两巨头打造低功耗

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来源: 作者: 2019-04-05 22:44:09

据d-silence 消息称,在IEDM(International Electron Devices Meeting)会议上发表的文件上,IBM和AMD详细介绍了其在65nm工艺处理器上共同下降功耗的计划。

计划中指,其主要引进了两种新技术使得芯片在同样性能下功耗大幅度提高。两种新技术分别被称作embedded silicon germanium(硅锗嵌入)和stress memorization(强迫记忆SMT),分别用于携带正电荷的P沟道晶体管和携带负电荷的N沟道晶体管。据测试,在采取SMT技术后,在一样的功耗下晶体管的性能提升了40%。关于SMT这项新技术更详细的可以去查IEEE的相应文章。

这些新技术将会在AMD的65nm工艺处理器上使用,将会大大提高其竞争力,不知intel怎么应对呢?

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